论文IGBT开关机理对逆变器死区时间影响是关于本文可作为相关专业死区论文写作研究的大学硕士与本科毕业论文pwm死区时间论文开题报告范文和职称论文参考文献资料。
摘 要：为了研究逆变器中功率器件对死区时间设置的影响,依据半导体物理理论和死区时间的计算依据,研究了电压、电流、温度对绝缘栅双极型晶体管（insulated—gate bipolar transistor,IGBT）开关时间的影响机理,给出了这3个因素对ICBT开关时间的影响规律,并得到了这3个因素对死区时间的影响机理.通过对两电平半桥逆变单元测试表明：死区时间随电压的增大近似呈线性关系增大,随电流的增大近似呈指数和双曲线复合关系而减小,随温度的增大近似呈线性关系增大,且按照计算依据得到的死区时间和实测桥路直通的发生相符,验证了理论分析的正确性.得出的结论可为实际应用中逆变器等电能变化装置死区时间的设置以及死区补偿算法的优化提供重要的参考依据.
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参考文献：
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3、 三相四线制逆变器中性点电压脉动抑制新型拓扑 摘要关键词：三相四线制逆变器；分裂电容；三相不平衡负载；中性点电压脉动抑制；高频变换电路DOI：10 15938 j emc 2018 02 。
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5、 HEV用开绕组永磁同步电机双逆变器协同控制 摘要：针对传统多能源混合动力汽车（HEV），采取了一种可同时使用两种能源的开绕组（OW）永磁同步电机（PMSM）双逆变器驱动系统。利用开绕组系统。